ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΣ ΕΥΚΙΝΗΣΙΑΣ ΚΑΙ ΘΕΡΜΟΣΧΥΟΣ ΣΕ ΔΙΔΙΑΣΤΑΤΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΑΠΟΥΣΙΑ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ


    1.   SINGLE-PARTICLE RELAXATION-TIMES AND SCATTERING TIMES IN A 2D ELECTRON-GAS
    KARAVOLAS VC, BUTCHER PN
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    2: (17) 3947-3954 APR 30 1990


Βασικ πρβλημα στις σγχρονες ημιαγγιμες διατξεις αποτελε η επτευξη υψηλς ευκινησας. μεση σχση με αυτ χει ο χρνος σκδασης. Εξετζεται το αποτλεσμα των διαφορετικν χωρικν πλατν διαδοχικν υποζωνν μιας ετεροδομς GaAs/AlGaAs στον υπολογισμ των χρνων σκδασης (scattering time) και ζως (lifetime) ενς διδιστατου ηλεκτρονικο αερου, ταν εναι μχρι και δο υποζνες κατειλημμνες.

Τα αποτελσματα δεχνουν οτι:

α) Ο χρνος ζως της δετερης υποζνης εναι πντα μεγαλτερος (κατ ναν παργοντα 2 και περισστερο) απ τον αντστοιχο χρνο της πρτης υποζνης.

β) Ο χρνος σκδασης της δετερης υποζνης εναι ανλογα με την συγκντρωση των φορων πτε μεγαλτερος και πτε μικρτερος απ τον αντστοιχο χρνο της πρτης υποζνης σε ποιοτικ συμφωνα με πειραματικς μετρσεις.


    2.   THE EFFECT OF INTERFACE ROUGHNESS SCATTERING AND BACKGROUND IMPURITY SCATTERING ON THE THERMOPOWER OF A 2DEG IN A Si MOSFET
    KARAVOLAS VC
    , SMITH MJ, FROMHOLD TM, et al.
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    2: (51) 10401-10410 DEC 31 1990


Η θερμοσχς εναι απ τους βασικος συντελεστς μεταφορς και συγκεντρνει το ερευνητικ ενδιαφρον σε θεωρητικ και πειραματικ εππεδο. Εξαρτμενη απ τον τρπο μεταφορς της ενργειας, η θερμοσχς μπορε να οφελεται σε μηχανισμος διχυσης των αλληλεπιδρσεων των φορων με τα φωννια.

Η θερμοσχς διχυσης ηλεκτρονων υπολογζεται απ την σχση του Mott    


και εναι συνθως αρνητικ. Πειραματικ δεδομνα του Gallagher και των συνεργατν του μως αναφορικ με την θερμοσχ ηλεκτρονων σε χαμηλες θερμοκρασες (Τ<1.5 Κ που η διχυση κυριαρχε σε σχση με την φωνονιακ συνιστσα) σε διατξεις Si MOSFETs δειξαν τι το πρσημο της θερμοισχος μπορε να αλλξει για συγκεκριμνες συγκεντρσεις φορων.


Σε αυτς τις διατξεις οι κυραρχοι μηχανισμο σκδασης εναι τρες:

α) Σκδαση απ μακρινς ιονισμνες προσμξεις

β) Σκδαση απο προσμξεις υποβθρου

γ) Σκδαση απ ανωμαλες (τραχτητα) στην ενδοεπιφνεια.


Στη συγκεκριμνη εργασα πραγματοποιθηκε νας αναλυτικς υπολογισμς της ενεργειακς εξρτησης του χρνου εφησυχασμο για κθε ναν απ τους παραπνω μηχανισμος σκδασης. Για χαμηλς συγκεντρσεις φορων ο πρτος μηχανισμς κυριαρχε (μακρινς προσμξεις υποβθρου) και η θερμοσχς εναι αρνητικ. Η αλλαγ στο πρσημο της θερμοσχος οφελεται σε μεγαλτερες συγκεντρσεις φορων στην κυριαρχα των δο λλων μηχανισμν σκδασης. Για καλτερη σγκριση με τα πειραματικ δεδομνα υπολογστηκε και η φωνονιακ συνιστσα της θερμοσχος.



    3.   DIFFUSION THERMOPOWER OF A 2DEG
    KARAVOLAS VC, BUTCHER PN
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    3: (15) 2597-2602 APR 15 1991


Σε ετεροδομς GaAs/AlGaAs καθς και σε Si ΜOSFETs σε χαμηλς θερμοκρασες μια πολ σημαντικ παρμετρος εναι η ενεργειακ εξρτηση του χρνου εφησυχασμο

                                                                                                   τ= τ0 Εp

H τιμ του p εναι καθοριστικ στον υπολογισμ της θερμοσχος διχυσης που κυριαρχε σε χαμηλς θερμοκρασες.


Υπολογζεται το p, καθς και η θερμοσχς διχυσης για τους τρες μηχανισμος σκδασης:

α) Σκδαση απ μακρινς ιονισμνες προσμξεις

β) Σκδαση απο προσμξεις υποβθρου

γ) Σκδαση απ ανωμαλες στην ενδοεπιφνεια.

και για τις ετεροδομς GaAs/AlGaAs αλλ και για Si MOSFETs,


Αποδεικνεται τι η θερμοσχς αλλζει πρσημο στο Si MOSFET αλλ χι στην ετεροεπαφ GaAs/AlGaAs. Αυτ οφελεται στο γεγονς τι στο Si MOSFET το πηγδι δυναμικο εναι πολ πιο βαθ σε σχση με αυτ του GaAs/AlGaAs με αποτλεσμα η συνεισφορ των προσμξεων υποβθρου και των ανωμαλιν στην ενδοεπιφνεια , που εναι οι μηχανισμο σκδασης στους οποους οφελεται η αλλαγ προσμου, να εναι πολ πιο σημαντικ.